近期,郭鹏飞同学等人又一科研成果取得重大突破,并在国际著名期刊《Advanced Materials》发表。该研究成果实现了基于横向异质结纳米带的高性能的纳米光探测器件。
半导体横向异质结纳米带不仅具有独特的几何结构,而且拥有许多优越的光电子学性质,这些性质是光电领域许多重要应用的基础和支柱,将在新一代集成电路的构建和新型纳米激光器、光探测器、传感器、光伏器件、逻辑运算器件等设计中具有潜在地价值。本工作开创性的利用化学气相沉积法生长的横向纳米带(CdSSe)异质结纳米带构建了光探测器件,相比传统器件而言,反应灵敏度、光电响应、开关比,探测范围等性能都得到了改善。